国内代工厂量产 14nm，并向 7nm、5nm 推进（国内代工厂排名）

国内代工厂量产 14nm，并向 7nm、5nm 推进（国内代工厂排名）

国内代工场加速 14nm 生产，继续研发 10nm 以下技术。

9 月 14 日，上海市委外宣办、市政府消息办举行首场「奋进新征程立功新时代」党委专题消息公布会，会议先容了上海集成电路的成长情况。

2021 年上海阛阓成电路市场范围到达 2500 亿元群众币，占全国的 25%。会议上相关讲话人暗示，上海已经实现了 14nm 先辈工艺范围量产。《举世时报》报道，随着上海 14nm 芯片产业集群的建成，7nm 和 5nm 工艺的更先辈项目将加速推动。

中国代工场一向都对研发进程连结低调，国外网站 tom'sHardware 分析了中国代工场今朝的制程情况。

14nm 来了，N+1 也来了

自 2020 年头以来，中国最早辈的代工场一向在议论其 N+1 制造技术（相当于 7nm），并将其描写为依靠深紫外 (DUV) 光刻工具的台积电 N7 节点的低本钱替换品。与利用 14nm 实现的类似芯片相比，N+1 旨在将功耗下降 57%，将性能进步 20%，并将逻辑面积削减高达 55%–63%（对于某些结构）。这样的改良纷歧定证实分析师和媒体在节点上贴上「7nm 级」标签是公道的，但它们充足贴切，由于不能将 N+1 称为国内代工场的 14nm 或 12nm 工艺的迭代。

TechInsights 的最新发现证实国内代工场的 N+1 类似于台积电的 N10 类技术，法则宽松 和普遍的设想技术协同优化 (DTCO) 功用。此外，它实现了每平方毫米 8900 万个逻辑晶体管的逻辑晶体管密度 (89MT/mm2)，这使其成为可行的 7nm 级替换计划（最少对于逻辑而言，由于缩放 SRAM 很辣手）。

自 2021 年 7 月以来，国内代工场一向在生产 MinerVa Semiconductor 的比特币挖矿芯片，但未对表面露。该公司利用其 DUV 装备制造那些约 25W 的微型采矿芯片。它们充足简单，可以实现商用可接管的良率，并作为一种工具来领会更多关于工艺性能、功率和缺点密度（最少就逻辑单元而言）。

「中国 7nm 芯片的制造速度也比预期的要快，」技术分析师向《举世时报》暗示。由于国内代工场的 N+1 及格并预备好停止部分的生产，证实了国内代工场可以在没有因美国政府制裁而没法采购的极紫外 (EUV) 生产装备的情况下保存。但是，国内代工场能否可以利用其 N+1 节点生产大型和复杂的片上系统还有待观察。

从逻辑晶体管密度的角度来看，国内代工场的 N+1 可以替换台积电的 N7。但是，台积电已经具有更先辈的制造技术，吸引了高度复杂的 CPU、计较 GPU 和各类复杂数据中心级芯片的客户。虽然华为海思是中国外乡的大客户，可是要办事于华为的海思国内代工场需要从美国获得出口答应证，由于国内代工场晶圆厂利用的很多工具都来自美国，而华为遭到了严酷的制裁。是以，对于国内代工场来说，为 N+1 吸引著名客户能够会很辣手。

中国实现 5nm？

中国最领先的代工场在 2020 年简要提到了其 N+2 技术。虽然这是其 14nm 节点的又一个演进，但中国分析师将其标志为「5nm 级」技术，由于它比被以为是「7nm 级」的 N+1 领先一步。但是，具有 193nm ArF 激光的 DUV 工具在分辨率方面存在已知限制，而且大量利用多图案以下降电路的关键尺寸会影响产量。是以，估计 N+2 在晶体管密度方面不会比 N+1 领先一大步。

国内代工场已经在其 N+2 节点上尽力了两年多，是以有来由期待这一点制造进程有能够会在 2023 年获得功效。但是，自从 2020 年末进入美国政府的实体名单以来，国内代工场一向对任何有关其成就的通告连结低调。国内代工场仅暗示将专注于开辟更先辈的芯片封装技术，以实现异构集成并填补没法采购亚 10nm 技术所需的装备。

引人沉思通告

自 2019 年末以来，国内代工场在其 SN1 工场一向在利用其 14nm 级制造技术生产芯片（其中一款产物是华为的海思麒麟 710A）。虽然该工艺正式迎来大范围生产，但现实产量很是小，以致于国内代工场停止报告该节点对其支出的进献，并将其与 28nm 节点合并为一个种别。

值得留意的是，9 月 14 日的公布会上相关讲话人先容的是上海已经起头量产 14nm 芯片，但并没有说起更先辈节点的任何工作。大部分相关方都已经领会国内代工场的 14nm 才能，而《举世时报》报道的 7nm 与 5nm 信息来自于一位自力研讨员，并非官方认证。

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